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產品簡介
這些光電倍增管模塊使用 GaAsP (-40)/GaAs (-50)光陰極面光電倍增管。這些模塊具有 40μA 的最大輸出電流，可實現寬動態范圍，提供清晰的圖像和銳利的對比度，并確保在無需保護電路的情況下穩定運行。
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在25℃
| 參數 | -40 | -50 | 單位 | ||
| 輸入電壓 | +11.5 至 +15.5 | V | |||
| 最大輸入電壓 | 18 | V | |||
| 最大輸入電流 *1 | 12 | mA | |||
| 最大輸出信號電流 | 40 | μA | |||
| 最大控制電壓 *2 | +0.9（輸入阻抗 30kΩ） | V | |||
| 建議的控制電壓調節范圍 *2 | +0.5 至 +0.8 | V | |||
| 有效面積 | 直徑 5 | mm | |||
| 光譜靈敏度特性 | 300 至 740 | 380至900 | nm | ||
| 峰值量子效率波長 | 520 | 630 | nm | ||
| [Cathode] 量子效率 | 處于峰值量子效率波長時 | 最小 | 40 | 14 | % |
| 典型值 | 45 | 19 | % | ||
| 在800納米 | 最小 | —— | 11 | % | |
| 典型值 | —— | 15 | % | ||
| [Cathode] 輻射靈敏度 | 處于峰值量子效率波長時 | 最小 | 168 | 70 | mA/W |
| 典型值 | 189 | 95 | mA/W | ||
| 在800納米 | 最小 | —— | 71 | mA/W | |
| 典型值 | —— | 97 | mA/W | ||
| [Anode] 輻射靈敏度 *2 | 處于峰值量子效率波長時 | 最小 | 1.0 × 105 | 4.2 × 104 | A/W |
| 典型值 | 1.9 × 105 | 9.5 × 104 | A/W | ||
| 在800納米 | 最小 | —— | 4.3 × 104 | A/W | |
| 典型值 | —— | 9.7 × 104 | A/W | ||
| [Anode] | 暗電流 *3 *4 | 典型值 | 3 | 4 | nA |
| 最大值 | 10 | 12 | nA | ||
| 暗電流 *4 *5 P型 | 典型值 | 6000 | 7500 | s-1 | |
| 最大值 | 18000 | 22500 | |||
| [Anode] | 增益率 *3 | 典型值 | 1.0 × 106 | – | |
| 增益率 *3 P型 | 典型值 | 1.0 × 106 | – | ||
| 上升時間 *3 | 典型值 | 1 | ns | ||
| 波紋噪聲（峰間）*3*6 | 最大值 | 0.6 | mV | ||
| 建立時間 *7 | 典型值 | 0.2 | s | ||
| 工作環境溫度 *8 | +5 至 +35 | °C | |||
| 儲存溫度 *8 | -20 至 +50 | °C | |||
| 重量 | H16200:76/H16201:100/H16204:106 | g | |||
NOTE:
*1，Input voltage = +15 V, Control voltage = +0.8 V
*2，Input impedance = 30 kΩ
*3，Control voltage = +0.8 V
*4，After 30 min storage in darkness
*5，Plateau voltage = control voltage
*6，Load resistance=1 MΩ, Load capacitance = 22 pF
*7，The time required for the output to reach a stable level following a change in the control voltage from +0.8 V to +0.5 V
*8，No condensation
公司郵箱： qgao@buybm.com
服務熱線： 021-61052039
公司地址： 上海市浦東新區疊橋路456弄創研智造C7區五樓
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